溅射原子在基片外面堆积成膜。与蒸发镀膜分歧，溅射镀膜不受膜材熔点的限定,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物资。溅射化合物膜可用反响溅射法，行将反响气体份子束内涵法普遍用于制作各类光集成器件和各类超晶格布局薄膜。
(O、N、HS、CH等)参加Ar气中,反响气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反响天生化合物（如氧化物、氮化物等）而堆积在基片上。
等离子溅射包括一系列已知技术，包括先进等离子溅射和磁控溅射。一般概念来源于等离子体的产生。等离子体中的离子随后加速进入源材料，撞击出松散的高能源离子，然后溅射到目标光学元件上。尽管每种等离子溅射都有其的特性、优点和缺点，但由于它们有共同的操作概念，因此这些技术被组合在一起。与本部分讨论的其他镀膜技术相比，这一组中的差异要小得多。
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